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請教一下LLC管子有時候Vds并電容是什么目的?
閱讀: 550 |  回復: 9 樓層直達

2019/07/10 08:01:11
1
jasuny1980
電源幣:1085 | 積分:3 主題帖:6 | 回復帖:44
LV3
排長

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如題,見到很多大功率的LLC拓撲,MOSFET的DS兩端經常并聯幾個小電容,不明白此舉是什么目的,哪位大神給小弟說道說道?
標簽 開關電源
2019/07/10 09:29:13
2
米山人家
電源幣:198 | 積分:53 主題帖:9 | 回復帖:604
LV8
師長

1分快3技巧 IGBT存在結電容,大概是幾nF,這個電容會與電感形成諧振,諧振頻率超過1MHz,由于導線存在微弱的電感,對于足夠高的頻率,感抗也開始有所體現,致使諧振電壓峰值甚至比電源電壓高,能達到幾百V,這種高頻的動態電壓危害很大。

1分快3技巧 并聯小電容后,可以讓諧振不從IGBT內部走,從外部的小電容旁路。

IGBT內部電容有兩個通道,一是CE間電容,一是BC間電容。

上面相當于加電容后的效果,下面的圖相當于沒有并聯小電容的效果。

可以看出,外部并聯電容后,振蕩頻率和幅度會明顯減小。

這個圖是借另外一個網友的發貼(http://sdguoxue.cn/bbs/2431524.html),很能說明問題,就轉到這里了,

2019/07/11 13:21:32
5
shao456
電源幣:392 | 積分:8 主題帖:1 | 回復帖:162
LV5
營長
人家問的是MOSFET,你卻說IGBT,人家問的是LLC,你貼的圖估計是移相全橋的(肯定不是LLC),這二者會一樣?
2019/07/11 15:23:30
6
米山人家
電源幣:198 | 積分:53 主題帖:9 | 回復帖:604
LV8
師長

一樣的,沒差別哦,IGBT和MOS,全橋諧振和LLC,面對這些問題的表現都是一樣的

而且,你結尾不應該用問號,應該用感嘆號才對啊

2019/07/11 16:25:32
7
shao456
電源幣:392 | 積分:8 主題帖:1 | 回復帖:162
LV5
營長
你根本沒說到點子上,并電容的目的你還沒領會
2019/07/11 17:52:18
8
米山人家
電源幣:198 | 積分:53 主題帖:9 | 回復帖:604
LV8
師長

面對問題,每個人都會有所領悟,千人千面,肯定不一定正確。

那么,你的見解是什么呢,能分享一下嗎?

2019/07/12 09:29:21
9
shao456
電源幣:392 | 積分:8 主題帖:1 | 回復帖:162
LV5
營長

你所陳述的內容本身沒有問題,我的意思是你的回答不切題,與樓主的疑問沒有關系。

關于MOS并聯電容的目的:以移相全橋為例,為了滿足死區時間內開關管的ZVS,要求死區時間>Tzvs/4,Tzvs=1/Fzvs=2π√(Lr*2Coss),大功率場合Lr選的比較小,導致Tzvs小,死區時間又不能太小,為了滿足ZVS不失效,需要給MOS外并電容來延長諧振時間(Tzvs)。

1分快3技巧 LLC與移相全橋類似(指死區時間內的諧振過程)。

2019/07/12 10:02:46
10
米山人家
電源幣:198 | 積分:53 主題帖:9 | 回復帖:604
LV8
師長
非常好,學習了,
2019/07/10 10:44:54
3
firefox886
電源幣:241 | 積分:5 主題帖:9 | 回復帖:648
LV9
軍長
樓上的童鞋,樓主的是LLC,那個電容的作用好像與你說的有差別!比如某種條件下,mos管的選擇受限制,如體二極管的反向恢復特性不好,那么就得加大死區,變壓器又做好了,為了實現zvs,就得并一只合適的電容,這個電容還可以改變mos關斷時的電流,總之有很多原因!應用時得看具體情況!不能一概而論!
2019/07/10 10:51:42
4
米山人家
電源幣:198 | 積分:53 主題帖:9 | 回復帖:604
LV8
師長

對的,小功率情況下,大諧振電感情況下,這個電容是不需要的。

大功率情況下,當諧振電感只有不到200uH時,這個電容是不可缺少的。

具體的情況很復雜,我只是表述了其中的很小一部分。

甚至,有時候,這個電容是起到反作用的。

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